इलेक्ट्रोनिक्स, प्रदर्शन र अन्य क्षेत्रहरूमा लक्षित सामग्रीको आवेदन

हामी सबैलाई थाहा छ, लक्ष्य सामग्री टेक्नोलोजीको विकास प्रवृत्ति डाउनस्ट्रीम अनुप्रयोग उद्योगमा फिल्म टेक्नोलोजीको विकास प्रवृत्तिसँग नजिकको सम्बन्ध छ।एप्लिकेसन उद्योगमा फिल्म उत्पादन वा कम्पोनेन्टहरूको प्राविधिक सुधारसँगै, लक्षित प्रविधि पनि परिवर्तन हुनुपर्छ।उदाहरणका लागि, आईसी निर्माताहरूले भर्खरै कम प्रतिरोधी तामाको तारहरूको विकासमा ध्यान केन्द्रित गरेका छन्, जुन आगामी केही वर्षहरूमा मूल एल्युमिनियम फिल्मलाई महत्त्वपूर्ण रूपमा प्रतिस्थापन गर्ने अपेक्षा गरिएको छ, त्यसैले तामा लक्ष्यहरू र तिनीहरूको आवश्यक अवरोध लक्ष्यहरूको विकास तत्काल हुनेछ।

थप रूपमा, हालका वर्षहरूमा, फ्ल्याट प्यानल डिस्प्ले (FPD) ले क्याथोड-रे ट्यूब (CRT) आधारित कम्प्युटर प्रदर्शन र टेलिभिजन बजारलाई ठूलो मात्रामा प्रतिस्थापन गरेको छ।यसले ITO लक्ष्यहरूको लागि प्राविधिक र बजार मागलाई पनि धेरै बढाउँछ।र त्यसपछि त्यहाँ भण्डारण प्रविधि छ।उच्च घनत्व, ठूलो क्षमताको हार्ड ड्राइभ र उच्च घनत्व मेटाउन मिल्ने डिस्कहरूको माग बढ्दै गएको छ।यी सबैले अनुप्रयोग उद्योगमा लक्षित सामग्रीको मागमा परिवर्तन ल्याएको छ।निम्नमा, हामी लक्ष्यका मुख्य अनुप्रयोग क्षेत्रहरू र यी क्षेत्रहरूमा लक्ष्यको विकास प्रवृत्तिको परिचय दिनेछौं।

　　1. माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स

सबै एप्लिकेसन उद्योगहरूमा, अर्धचालक उद्योगसँग लक्षित स्पटरिङ फिल्महरूको लागि सबैभन्दा कडा गुणस्तर आवश्यकताहरू छन्।12 इन्च (300 epistaxis) को सिलिकन वेफर्स अब निर्माण गरिएको छ।अन्तरसम्बन्धको चौडाइ घट्दै गएको छ।लक्षित सामग्रीहरूको लागि सिलिकन वेफर निर्माताहरूको आवश्यकताहरू ठूलो मात्रामा, उच्च शुद्धता, कम पृथकता र राम्रो अन्न हो, जसका लागि लक्षित सामग्रीहरू राम्रो माइक्रोस्ट्रक्चर हुन आवश्यक छ।क्रिस्टलीय कण व्यास र लक्षित सामग्रीको एकरूपतालाई फिल्म निक्षेप दरलाई असर गर्ने प्रमुख कारकहरू मानिन्छ।

एल्युमिनियमको तुलनामा, तामामा उच्च इलेक्ट्रोमोबिलिटी प्रतिरोध र कम प्रतिरोधात्मकता छ, जसले ०.२५um तलको सबमाइक्रोन तारमा कन्डक्टर टेक्नोलोजीको आवश्यकताहरू पूरा गर्न सक्छ, तर यसले अन्य समस्याहरू ल्याउँछ: तामा र जैविक मध्यम सामग्रीहरू बीच कम आसंजन शक्ति।यसबाहेक, यो प्रतिक्रिया गर्न सजिलो छ, जसले चिपको प्रयोगको क्रममा तामाको इन्टरकनेक्टको क्षरण र सर्किट ब्रेकेज निम्त्याउँछ।यो समस्या समाधान गर्न, तामा र डाइलेक्ट्रिक तह बीच एक अवरोध तह सेट गर्नुपर्छ।

तामाको अन्तरसम्बन्धको अवरोध तहमा प्रयोग हुने लक्ष्य सामग्रीमा Ta, W, TaSi, WSi, आदि समावेश छन्। तर Ta र W अपवर्तक धातुहरू हुन्।यो बनाउन तुलनात्मक रूपमा गाह्रो छ, र मोलिब्डेनम र क्रोमियम जस्ता मिश्रहरू वैकल्पिक सामग्रीको रूपमा अध्ययन भइरहेको छ।

　　2. प्रदर्शन को लागी

फ्ल्याट प्यानल डिस्प्ले (FPD) ले धेरै वर्षहरूमा क्याथोड-रे ट्यूब (CRT)-आधारित कम्प्युटर मनिटर र टेलिभिजन बजारमा ठूलो प्रभाव पारेको छ, र ITO लक्षित सामग्रीहरूको लागि प्रविधि र बजार मागलाई पनि ड्राइभ गर्नेछ।आज दुई प्रकारका ITO लक्ष्यहरू छन्।एउटा सिन्टरिङ पछि इन्डियम अक्साइड र टिन अक्साइड पाउडरको न्यानोमिटर अवस्था प्रयोग गर्ने, अर्को इन्डियम टिन मिश्र धातु लक्ष्य प्रयोग गर्ने।ITO फिल्म इन्डियम-टिन मिश्र धातु लक्ष्यमा DC प्रतिक्रियात्मक स्पटरिंग द्वारा निर्मित गर्न सकिन्छ, तर लक्ष्य सतहले अक्सिडाइज गर्दछ र स्पटरिङ दरलाई असर गर्छ, र ठूलो आकारको मिश्र धातु लक्ष्य प्राप्त गर्न गाह्रो छ।

आजकल, पहिलो विधि सामान्यतया ITO लक्ष्य सामग्री उत्पादन गर्न अपनाइन्छ, जुन म्याग्नेट्रोन स्पटरिंग प्रतिक्रिया द्वारा स्पटरिंग कोटिंग हो।यसमा छिटो निक्षेप दर छ।फिल्मको मोटाई सही रूपमा नियन्त्रण गर्न सकिन्छ, चालकता उच्च छ, फिल्मको स्थिरता राम्रो छ, र सब्सट्रेटको आसंजन बलियो छ।तर लक्ष्य सामग्री बनाउन गाह्रो छ, किनभने इन्डियम अक्साइड र टिन अक्साइड सजिलै संग एकसाथ सिन्टर हुँदैन।सामान्यतया, ZrO2, Bi2O3 र CeO लाई sintering additives को रूपमा चयन गरिन्छ, र सैद्धान्तिक मूल्यको 93% ~ 98% को घनत्व भएको लक्ष्य सामग्री प्राप्त गर्न सकिन्छ।यस तरिकाले बनेको ITO फिल्मको प्रदर्शनको additives संग ठूलो सम्बन्ध छ।

यस्तो लक्ष्य सामाग्री प्रयोग गरेर प्राप्त ITO फिल्म को अवरुद्ध प्रतिरोधकता 8.1 × 10n-cm पुग्छ, जो शुद्ध ITO फिल्म को प्रतिरोधकता को नजिक छ।FPD र प्रवाहकीय गिलास को आकार एकदम ठूलो छ, र प्रवाहकीय गिलास को चौडाई पनि 3133mm पुग्न सक्छ।लक्षित सामग्रीको उपयोगमा सुधार गर्नको लागि, विभिन्न आकारहरू, जस्तै बेलनाकार आकारका ITO लक्ष्य सामग्रीहरू विकास गरिन्छ।2000 मा, राष्ट्रिय विकास योजना आयोग र विज्ञान र प्रविधि मन्त्रालयले हाल विकासको लागि प्राथमिकता दिइएका सूचना उद्योगका मुख्य क्षेत्रहरूको लागि दिशानिर्देशहरूमा ITO ठूला लक्ष्यहरू समावेश गरे।

　　3. भण्डारण प्रयोग

भण्डारण प्रविधिको सन्दर्भमा, उच्च-घनत्व र ठूलो-क्षमताको हार्ड डिस्कको विकासलाई ठूलो संख्यामा विशाल अनिच्छा फिल्म सामग्री चाहिन्छ।CoF~Cu मल्टिलेयर कम्पोजिट फिल्म विशाल अनिच्छा फिल्मको व्यापक रूपमा प्रयोग गरिएको संरचना हो।चुम्बकीय डिस्कको लागि आवश्यक TbFeCo मिश्र धातु लक्ष्य सामग्री अझै विकासमा छ।TbFeCo सँग निर्मित चुम्बकीय डिस्कमा ठूलो भण्डारण क्षमता, लामो सेवा जीवन र दोहोर्याइएको गैर-सम्पर्क मेटाउने क्षमताको विशेषताहरू छन्।

एन्टिमोनी जर्मेनियम टेलुराइड आधारित फेज चेन्ज मेमोरी (पीसीएम) ले महत्त्वपूर्ण व्यावसायिक सम्भाव्यता देखायो, भाग बन्यो न फ्ल्यास मेमोरी र DRAM बजार वैकल्पिक भण्डारण टेक्नोलोजी, तथापि, कार्यान्वयनमा अझ छिटो मापन गरिएको सडकमा अवस्थित चुनौतीहरू मध्ये एक रिसेटको अभाव हो। हालको उत्पादनलाई पूर्ण रूपमा सील गरिएको इकाईलाई कम गर्न सकिन्छ।रिसेट वर्तमान घटाउँदा मेमोरी पावर खपत कम हुन्छ, ब्याट्रीको आयु विस्तार हुन्छ, र डाटा ब्यान्डविथ सुधार्छ, आजका डाटा-केन्द्रित, उच्च पोर्टेबल उपभोक्ता उपकरणहरूमा सबै महत्त्वपूर्ण सुविधाहरू।