वैक्यूम कोटिंग को सिद्धान्त

भ्याकुम कोटिंग भन्नाले भ्याकुममा वाष्पीकरणको स्रोतलाई तताउने र वाष्पीकरण गर्ने वा एक्सेलेरेटेड आयन बमबारीसँग स्पटरिङ, र यसलाई एकल-तह वा बहु-तह फिल्म बनाउनको लागि सब्सट्रेटको सतहमा जम्मा गर्नुलाई जनाउँछ।भ्याकुम कोटिंग को सिद्धान्त के हो?अर्को, RSM को सम्पादकले हामीलाई यो परिचय गराउनुहुनेछ।

　　1. भ्याकुम वाष्पीकरण कोटिंग

वाष्पीकरण कोटिंगको लागि वाष्पीकरणको स्रोतबाट वाष्प अणुहरू वा परमाणुहरू बीचको दूरी र लेप गरिएको सब्सट्रेट कोटिंग कोठामा अवशिष्ट ग्याँस अणुहरूको औसत मुक्त मार्ग भन्दा कम हुनुपर्दछ, ताकि यो सुनिश्चित गर्नको लागि कि वाष्प अणुहरू। वाष्पीकरण बिना टक्कर सब्सट्रेटको सतहमा पुग्न सक्छ।सुनिश्चित गर्नुहोस् कि फिल्म शुद्ध र दृढ छ, र वाष्पीकरण अक्सिडाइज हुनेछैन।

　　2. भ्याकुम स्पटरिङ कोटिंग

भ्याकुममा, जब द्रुत आयनहरू ठोससँग टकराउँछन्, एकातिर, क्रिस्टल क्षतिग्रस्त हुन्छ, अर्कोतर्फ, तिनीहरू क्रिस्टल बनाउने परमाणुहरूसँग टकराउँछन्, र अन्तमा ठोसको सतहमा परमाणुहरू वा अणुहरू। बाहिर धड्कन।स्पटर गरिएको सामग्रीलाई सब्सट्रेटमा पातलो फिल्म बनाउनको लागि प्लेट गरिन्छ, जसलाई भ्याकुम स्पटर प्लेटिङ भनिन्छ।त्यहाँ धेरै स्पटरिङ विधिहरू छन्, जसमध्ये डायोड स्पटरिङ सबैभन्दा प्रारम्भिक हो।विभिन्न क्याथोड लक्ष्यहरू अनुसार, यसलाई प्रत्यक्ष वर्तमान (DC) र उच्च आवृत्ति (RF) मा विभाजित गर्न सकिन्छ।आयनको साथ लक्ष्य सतहलाई प्रभाव पारेर थुक्ने परमाणुहरूको संख्यालाई स्पटरिङ रेट भनिन्छ।उच्च स्पटरिङ दर संग, फिल्म गठन गति छिटो छ।स्पटरिङ दर ऊर्जा र आयनको प्रकार र लक्षित सामग्रीको प्रकारसँग सम्बन्धित छ।सामान्यतया भन्नुपर्दा, मानव आयन ऊर्जाको वृद्धिसँगै थुक्ने दर बढ्छ, र बहुमूल्य धातुहरूको थुक्ने दर उच्च हुन्छ।