Polysilicon एक महत्त्वपूर्ण स्पटरिङ लक्ष्य सामग्री हो।SiO2 र अन्य पातलो फिल्महरू तयार गर्न म्याग्नेट्रोन स्पटरिङ विधि प्रयोग गर्दा म्याट्रिक्स सामग्रीलाई राम्रो अप्टिकल, डाइलेक्ट्रिक र जंग प्रतिरोधी बनाउन सक्छ, जुन टच स्क्रिन, अप्टिकल र अन्य उद्योगहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।
लामो क्रिस्टलहरू कास्ट गर्ने प्रक्रिया भनेको इन्गट फर्नेसको तातो क्षेत्रमा हिटरको तापक्रम र थर्मल इन्सुलेशन सामग्रीको तातो अपव्ययलाई सही रूपमा नियन्त्रण गरेर तलदेखि माथिसम्म तरल सिलिकनको दिशात्मक ठोसीकरणलाई महसुस गर्नु हो। ठोसीकरण लामो क्रिस्टल गति 0.8 ~ 1.2cm/h छ।एकै समयमा, दिशात्मक ठोसीकरणको प्रक्रियामा, सिलिकन सामग्रीहरूमा धातु तत्वहरूको अलगाव प्रभाव महसुस गर्न सकिन्छ, अधिकांश धातु तत्वहरू शुद्ध गर्न सकिन्छ, र एक समान polycrystalline सिलिकन अन्न संरचना गठन गर्न सकिन्छ।
कास्टिङ पोलिसिलिकन पनि उत्पादन प्रक्रियामा जानाजानी डोप गर्न आवश्यक छ, सिलिकन पिघलमा स्वीकारकर्ता अशुद्धताहरूको एकाग्रता परिवर्तन गर्नको लागि।उद्योगमा पी-टाइप कास्ट पोलिसिलिकनको मुख्य डोपन्ट सिलिकन बोरन मास्टर एलोय हो, जसमा बोरोनको मात्रा लगभग ०.०२५% हुन्छ।डोपिङको मात्रा सिलिकन वेफरको लक्ष्य प्रतिरोधात्मकता द्वारा निर्धारण गरिन्छ।इष्टतम प्रतिरोधात्मकता 0.02 ~ 0.05 Ω • सेमी हो, र सम्बन्धित बोरन एकाग्रता लगभग 2 × 1014 सेमी-3 हो। यद्यपि, सिलिकनमा बोरनको विभाजन गुणांक 0.8 हो, जसले दिशात्मक ठोसीकरण प्रक्रियामा निश्चित पृथकता प्रभाव देखाउँदछ, हो, बोरोन तत्व इन्गटको ठाडो दिशामा ढाँचामा वितरित हुन्छ, र प्रतिरोधात्मकता बिस्तारै तलबाट इन्गटको शीर्षमा घट्दै जान्छ।
पोस्ट समय: जुलाई-26-2022